福州大学赵福山教授/宁波材料所钱磊研究员合作最新《Nature Photonics》

件产生非辐射泄勾电容。此以外，由白色量子点组已成的正电荷势垒层将HTL和ETL隔开（左图4b），由于深蓝色量子点的注入势垒相对比较大，正电荷更优选注入深蓝色量子点而不是白色量子点。左图4c中都表明 有着白色-QD阻挡层的电子器件表现造出明清高较较低的连续性。左图4d推测了通过LB-TP和常规触及印刷厂氢化的白色-QD阻挡层涂层的SEM左图像。这证明与有别于触及印刷厂来得， LB-TP瓷在呈现造出微小且平滑的涂层上都有着杰造出的能力。因此，如左图4e上图， 由LB-TP氢化的蓝量子点势垒层可以清高着降较低电子器件的勾电容。

左图 4. 带阻挡层和不带阻挡层的相对

【总结】

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