安建半导体完成1.8亿元B轮融资，突破摩尔投资领投

【猎云网（微信：ilieyun）北京】3月25日引述

3月25日，矽增益半导体器件厂商安建矽宣告获1.8亿元B轮信贷，本轮信贷由超越林奇季末资者领季末，弘鼎资本、龙鼎季末资者、联和资本、君盛季末资者和金建诚季末资者跟季末。此次资金将主要用于较低、低压MOS和IGBT全系列其产品开发、第三代矽SiC半导体器件开发和IGBT模块封测厂建设。

讲到此次季末资者逻辑，超越林奇董事总经理史晶星教授表示，增益半导体器件是中国第二大概率可以借助于弯道超车的赛道，也以前是超越林奇的重点布局方向之一。

据了解，安建矽成立于2016年，专注于矽增益半导体器件的制造、设计和销售。

目前，安建矽的其桌上型已经涵盖大部分MOS管和IGBT其产品，其中已有三条其桌上型借助于量产，分别是低电阻的SGT-MOS管（屏蔽河桥氧化物场效应集成电路）、较低电阻的SJ-MOS管（超结氧化物场效应集成电路）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘材料河桥双极集成电路），其产品仅有具有较低性能较低可靠性。

未来，安建矽还将针对各有不同应用情景还将继续开发各有不同性能和各有不同规格的其产品，借助于增益半导体器件所有电阻和电容器全覆盖，完成认真全系列较低低压MOS管和IGBT其产品的目标。

他的团队方面，创始人单建安本硕博毕业于加拿大多伦多大学电气工程专业，1988年教授毕业后任英国伦敦飞利浦该中心较低级研究专家，1991年赴美一同创办香海港科技大学，任磁性与集成电路工程系教授。在海港国立中正大学进修期间，单建安以前在认真增益半导体器件的技术储备和人才招聘，2015年受邀参与中国香海港上市公司华虹矽重要会议，会议决定陷入僵局适配合作，次年正式成立安建矽制造矽增益半导体器件。