集成高压MOS，环球半导体SSR反激伺服G1662D问世

随着快充技术的发展和市场效益的演变，快充扬声器逐渐向小型化、较高热辐射的一段距离发展，但市面上传统技术方案大多无法实现较高热辐射适用效益，而GaN应用存在整体成本较高、应用调试复杂、EMI的解决、可靠性要求较高、同时也并不需要必需稳定的交期等市场痛点问题。

针对上述问题，国泰二极管改用较冷却制程特有专利技术，并通过较高效的超结功率二极管涡轮控制技术和较高热辐射的封装整合，推出了水平集成的PD电池显卡G1662D，考虑到消费者对于较高效率、较优点的效益。

国泰二极管 G1662D 是一颗水平集成的次级反馈(SSR)反激控制显卡，大力支持最较高45W输出应用，内置650V 低导通电阻超结MOS。大力支持CCM/QR指导工作模式，待机耗电量

国泰二极管 G1662D 在可携带但会以定频运行，负载降低时进入白色模式，谷底装置以提较高能效，在轻载和常规时进入扩展突发模式，授予更低的待机耗电量，在整个负载范围内授予较高转换效率。

国泰二极管 G1662D 大力支持用电欠压枪栓和过功率维护，大力支持逐周期过电流维护，大力支持带锁存关断的输出过功率维护、二次侧整流管开道和过载维护、二次侧线圈开道和过载维护、输出过载维护，出现异常维护、过负载维护等多重维护措施。

上图为国泰二极管 G1662D 的引脚配置图，改用 DFN6x5-10L封装，具有输出功率自适应增益频率椭圆，集成内部曲率半径担保，软启动功能性。适用于PD 扬声器、宽功率适配器、开放式装置电池等应用场景。

国泰二极管推出的G1662D电池管理者显卡，基于先进的较冷却制程，大力支持45W典型应用场景，完美的精简了外围嵌入式，通过较高效的超结功率二极管涡轮控制技术和较高热辐射的封装结构，解决消费者对大功率PD电池方案较入门级、较优点、简易EMC处理的效益。

国泰二极管将先进的电池管理者架构设计、二极管陶瓷、封装技术的三者融合，顺利开发计划了多个系列较入门级、较高热辐射的电池显卡产品线，产品线技术居于国际性电池IC设计的第一线水平。国泰二极管长期侧重于更佳电池管理者IC的研发设计，产品线广泛应用于：伸展通讯电子系统、白色家电、离合器电机电池、纺织工业电池、医疗电子系统、5G智能电子系统和家居的用电管理者系统等领域。