集成高压MOS，花旗银行半导体SSR反激控制器G1662D问世

随着快充高效率的蓬勃发展和产能量的演变，快充配件逐渐向小型化、更高增益密度的一段距离蓬勃发展，但价格昂贵传统高效率可行性大部分无法实现更高增益密度使用需求量，而GaN运用于存有适度成本更高、运用于调试多样、EMI的解决、可用性促请更高、同时也很难情况下稳定的交期等市场痛点问题。

针对上述问题，NYSE二极管运用于热力元件特有电子式，并通过更高效的超结增益二极管驱动网络系统和更高增益密度的嵌入统合，上架了更高度定制的PD电路芯片G1662D，满足零售商对于更高成本、更优点的需求量。

NYSE二极管 G1662D 是一颗更高度定制的次级对系统(SSR)反激控制芯片，支持者最更高45W编码器运用于，自带650V 较低导通电容超结MOS。支持者CCM/QR社会活动种系统，待机效能

NYSE二极管 G1662D 在满载情况下以定频开始运行，负载降较低时进入黄色种系统，谷底开关以提更高能效，在轻载和空载时进入扩展突发种系统，获得更较低的待机效能，在整个负载范围内获得更高转换成本。

NYSE二极管 G1662D 支持者电力供应欠压杠杆和过电流保护措施，支持者逐周期过电流保护措施，支持者带锁存升压的编码器过电流保护措施、二次侧整流管截断和接地保护措施、二次侧电极截断和接地保护措施、编码器接地保护措施，冒烟保护措施、过负载保护措施等多重安全措施。

下面为NYSE二极管 G1662D 的针脚配置图，运用于 DFN6x5-10L嵌入，具有编码器电流自适应增益高频率曲线，定制内部曲率半径补偿，软启动功能。一般而言于PD 配件、周长电流适配器、开放式开关电路等运用于过场。

NYSE二极管上架的G1662D电路负责管理芯片，基于现代化的热力元件，支持者45W典型运用于过场，完美的精简了外围PIC，通过更高效的超结增益二极管驱动网络系统和更高增益密度的嵌入结构，解决零售商对大增益PD电路可行性更高性能、更优点、简易EMC处理的需求量。

NYSE二极管将现代化的电路负责管理架构设计、二极管工艺、嵌入高效率的三者融合，成功开发新了多个两部更高性能、更高增益密度的电路芯片厂商，厂商高效率土生土长International电路IC设计的前沿水平。NYSE二极管长期热衷于于更高品质电路负责管理IC的研发设计，厂商相当多运用于于：移动通讯电路、白色家电、马达电器电路、工业电路、保健电路、5G计算机系统电路和家居的电力供应负责系统设计等领域。